011

STD10NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 500 В, 0.53 Ом

Поставка электронных компонентов в Смоленск

65,00 руб.

x 65,00 = 65,00
Артикул: 1135603 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней65,00руб.60,45руб.58,50руб.57,20руб.53,30руб.52,00руб.50,70руб.46,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней117,65руб.107,90руб.105,95руб.103,35руб.96,20руб.94,25руб.91,65руб.82,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней152,10руб.140,40руб.137,15руб.133,90руб.124,80руб.121,55руб.118,95руб.106,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней78,00руб.71,50руб.70,20руб.68,25руб.63,70руб.62,40руб.60,45руб.54,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней150,15руб.138,45руб.135,20руб.131,95руб.128,05руб.123,50руб.117,00руб.105,30руб.

Характеристики

STD10NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 500 В, 0.53 Ом The STD10NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to strip layout yields lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

7А