16

STB10NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 600 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

250,00 руб.

x 250,00 = 250,00
Артикул: 1133041 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней250,00руб.232,50руб.225,00руб.220,00руб.212,50руб.200,00руб.195,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней470,00руб.432,50руб.425,00руб.415,00руб.400,00руб.377,50руб.367,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней477,50руб.440,00руб.430,00руб.420,00руб.400,00руб.380,00руб.372,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней300,00руб.275,00руб.270,00руб.262,50руб.255,00руб.240,00руб.232,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней435,00руб.400,00руб.390,00руб.382,50руб.370,00руб.347,50руб.337,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней272,50руб.252,50руб.245,00руб.240,00руб.232,50руб.217,50руб.212,50руб.

Характеристики

STB10NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 600 В The STB10NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

115Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

4.5А