1a4313799007830e4748c0d03d4057cf

MJE210G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 65 МГц, 15 Вт

Поставка электронных компонентов в Смоленск

49,00 руб.

x 49,00 = 49,00
Артикул: 1129957 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней49,00руб.45,57руб.44,10руб.43,12руб.40,18руб.39,20руб.38,22руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней88,69руб.81,34руб.79,87руб.77,91руб.72,52руб.71,05руб.69,09руб.62,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней114,66руб.105,84руб.103,39руб.100,94руб.94,08руб.91,63руб.89,67руб.80,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней58,80руб.53,90руб.52,92руб.51,45руб.48,02руб.47,04руб.45,57руб.41,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней113,19руб.104,37руб.101,92руб.99,47руб.96,53руб.93,10руб.88,20руб.79,38руб.

Характеристики

MJE210G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 65 МГц, 15 Вт The MJE210G is a PNP complementary silicon Power Transistor designed for low voltage, low-power and high-gain audio amplifier applications. The device offers high DC current gain and low collector to emitter saturation voltage.

• High current-gain-bandwidth product
• Annular construction for low leakage
• 40VDC Collector-emitter voltage
• 25VDC Collector-base voltage
• 8VDC Emitter-base voltage
• 5A Continuous collector current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-225
Рассеиваемая Мощность

15Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-5А
DC Усиление Тока hFE

10hFE
Частота Перехода ft

65МГц