Заполнитель

MJE182G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 1.5 Вт

Поставка электронных компонентов в Смоленск

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
Артикул: 1129955 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

MJE182G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 1.5 Вт The MJE182G is a 80V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The MJE172 (PNP) and MJE182 (NPN) are complementary devices.

• High DC current gain
• High current-gain — bandwidth
• Annular construction for low leakages
• Epoxy meets UL94V-0 flammability rating
• 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 7V Emitter to base voltage (VEBO)
• 6A Peak collector current
• 1ADC Base current (IB)
• 10 C/W Thermal resistance, junction to case
• 83.4 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-225
Рассеиваемая Мощность

1.5Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

3А
DC Усиление Тока hFE

12hFE
Частота Перехода ft

50МГц