Личный кабинет
Характеристики
КР165 ГФ2, Четырехфазный генератор тактовых импульсов
Описание
Микросхема представляет собой четырехфазный генератор импульсов, изготовленный по МОП-технологии. Предназначена для применения в клавишных вычислительных машинах и управляющих устройствах. По уровням входных и выходных сигналов совместима с микросхемами серии К145. Содержит 250 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1,1 г.
Назначение выводов: 1, 13 — регулировка частоты; 2 — выход фазы Ф4; 6 — выход фазы Ф2; 7 — выход стабилизатора; 8 — напряжение питания (-Uп); 9 — выход фазы Ф1; 12 — выход фазы Ф3; 14 — общий (+Uп); 3, 4, 5, 10, 11 — не используются.
Общие рекомендации по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы. Температура пайки микросхем 235±5 °С. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм, продолжительность пайки более 2,5 с. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
| Электрические параметры | |||
| Параметры | Условия | КР165ГФ2 | Ед. изм. |
| Номинальное напряжение питания | — | -27+5% | В |
| Выходное напряжение высокого уровня | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≥23,7 | В |
| Выходное напряжение низкого уровня | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≤1 | В |
| Выходное напряжение высокого уровня фаз Ф1 и Ф2 | в режиме запрета при Uп = -24,3 В, Uвх = -15 В | ≤1 | В |
| Входное напряжение низкого уровня фазы Ф2 | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≤0,5 | В |
| Ток потребления | при Uп = -29,7 В, Uвх = -2 В, fг = 115 кГц | ≤12 | мА |
| Входной ток фаз Ф1 и Ф2 | — | ≤10 | мкА |
| Частота генерирования | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | 90…110 | кГц |
| Уход частоты | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≤±15 | % |
| Время перекрытия фаз Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4 | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≥1,1 | мкс |
| Время сдвига спадов импульса Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4 | при Uп = -24,3 В | ≥1,1 | мкс |
| Интервал времени между импульсами Ф2 и Ф4, Ф4 и Ф2 | при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В | ≥0,1 | мкс |
| Время перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня | при С0,11,3 = 950 пФ | ≤0,8 | мкс |
| Время перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня | при С1,01,3 = 950 пФ | ≤0,5 | мкс |
| Предельно допустимые режимы эксплуатации | |||
| Параметры | Условия | КР165ГФ2 | Ед.изм. |
| Напряжение на выводах питания и подключения внешнего резистора, задающего частоту | — | -24,3…-28,4 | В |
| Сопротивление нагрузки по выходам фаз | Ф1, Ф3 | ≥51 | кОм |
| Ф2, Ф4 | ≥100 | ||
| Сумма емкостей нагрузки по выходам фаз | — | ≤2500 | пФ |
| Температура окружающей среды | — | -10…+70 | °С |
Загрузка