IXFP4N100Q, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1 кВ, 3 Ом, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

800,00 руб.

Артикул: 1132618 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	800,00руб.	744,00руб.	720,00руб.	704,00руб.	680,00руб.	640,00руб.	624,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.504,00руб.	1.384,00руб.	1.360,00руб.	1.328,00руб.	1.280,00руб.	1.208,00руб.	1.176,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.528,00руб.	1.408,00руб.	1.376,00руб.	1.344,00руб.	1.280,00руб.	1.216,00руб.	1.192,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	960,00руб.	880,00руб.	864,00руб.	840,00руб.	816,00руб.	768,00руб.	744,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.392,00руб.	1.280,00руб.	1.248,00руб.	1.224,00руб.	1.184,00руб.	1.112,00руб.	1.080,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	872,00руб.	808,00руб.	784,00руб.	768,00руб.	744,00руб.	696,00руб.	680,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IXFP4N100Q, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1 кВ, 3 Ом, 10 В, 5 ВThe IXFP4N100Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.

• International standard package
• Low QG
• Low RDS (ON)
• Low drain-to-tab capacitance
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220
Рассеиваемая Мощность	156Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	1кВ
Непрерывный Ток Стока	4А