16

IRFS4115TRL7PP, МОП-транзистор, N Канал, 105 А, 150 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

360,00 руб.

x 360,00 = 360,00
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней360,00руб.334,80руб.324,00руб.316,80руб.306,00руб.288,00руб.280,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней676,80руб.622,80руб.612,00руб.597,60руб.576,00руб.543,60руб.529,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней687,60руб.633,60руб.619,20руб.604,80руб.576,00руб.547,20руб.536,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней432,00руб.396,00руб.388,80руб.378,00руб.367,20руб.345,60руб.334,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней626,40руб.576,00руб.561,60руб.550,80руб.532,80руб.500,40руб.486,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней392,40руб.363,60руб.352,80руб.345,60руб.334,80руб.313,20руб.306,00руб.

Характеристики

IRFS4115TRL7PP, МОП-транзистор, N Канал, 105 А, 150 В N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

380Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

150В

Непрерывный Ток Стока

105А