IRFB7440PBF, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 40 В, 0.002 Ом

Поставка электронных компонентов в Смоленск

140,00 руб.

Артикул: 1134380 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	140,00руб.	130,20руб.	126,00руб.	123,20руб.	119,00руб.	112,00руб.	109,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	263,20руб.	242,20руб.	238,00руб.	232,40руб.	224,00руб.	211,40руб.	205,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	267,40руб.	246,40руб.	240,80руб.	235,20руб.	224,00руб.	212,80руб.	208,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	168,00руб.	154,00руб.	151,20руб.	147,00руб.	142,80руб.	134,40руб.	130,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	243,60руб.	224,00руб.	218,40руб.	214,20руб.	207,20руб.	194,60руб.	189,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	152,60руб.	141,40руб.	137,20руб.	134,40руб.	130,20руб.	121,80руб.	119,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB7440PBF, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 40 В, 0.002 Ом The IRFB7440PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	208Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	120А