IRF8113PBF, МОП-транзистор, N Канал, 17.2 А, 30 В, 5.6 мОм

Поставка электронных компонентов в Смоленск

110,00 руб.

Артикул: 1134355 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	110,00руб.	102,30руб.	99,00руб.	96,80руб.	93,50руб.	88,00руб.	85,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	206,80руб.	190,30руб.	187,00руб.	182,60руб.	176,00руб.	166,10руб.	161,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	210,10руб.	193,60руб.	189,20руб.	184,80руб.	176,00руб.	167,20руб.	163,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	132,00руб.	121,00руб.	118,80руб.	115,50руб.	112,20руб.	105,60руб.	102,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	191,40руб.	176,00руб.	171,60руб.	168,30руб.	162,80руб.	152,90руб.	148,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	119,90руб.	111,10руб.	107,80руб.	105,60руб.	102,30руб.	95,70руб.	93,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF8113PBF, МОП-транзистор, N Канал, 17.2 А, 30 В, 5.6 мОм The IRF8113PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.

• Low gate charge
• 100% Rg tested
• Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• Ultra-low gate impedance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	17.2А