2

IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Смоленск

30,00 руб.

x 30,00 = 30,00
Артикул: 1125993 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней30,00руб.27,90руб.27,00руб.26,40руб.24,60руб.24,00руб.23,40руб.21,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней54,30руб.49,80руб.48,90руб.47,70руб.44,40руб.43,50руб.42,30руб.38,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней70,20руб.64,80руб.63,30руб.61,80руб.57,60руб.56,10руб.54,90руб.49,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней36,00руб.33,00руб.32,40руб.31,50руб.29,40руб.28,80руб.27,90руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней69,30руб.63,90руб.62,40руб.60,90руб.59,10руб.57,00руб.54,00руб.48,60руб.

Характеристики

IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8]The IRF7416PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Generation V technology

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

p-канал