IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Смоленск

69,00 руб.

Артикул: 1125897 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	69,00руб.	64,17руб.	62,10руб.	60,72руб.	56,58руб.	55,20руб.	53,82руб.	49,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	124,89руб.	114,54руб.	112,47руб.	109,71руб.	102,12руб.	100,05руб.	97,29руб.	87,63руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	161,46руб.	149,04руб.	145,59руб.	142,14руб.	132,48руб.	129,03руб.	126,27руб.	113,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	82,80руб.	75,90руб.	74,52руб.	72,45руб.	67,62руб.	66,24руб.	64,17руб.	57,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	159,39руб.	146,97руб.	143,52руб.	140,07руб.	135,93руб.	131,10руб.	124,20руб.	111,78руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	p-канал