7

IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]

Поставка электронных компонентов в Смоленск

83,00 руб.

x 83,00 = 83,00
Артикул: 1125896 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней83,00руб.77,19руб.74,70руб.73,04руб.68,06руб.66,40руб.64,74руб.59,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней150,23руб.137,78руб.135,29руб.131,97руб.122,84руб.120,35руб.117,03руб.105,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней194,22руб.179,28руб.175,13руб.170,98руб.159,36руб.155,21руб.151,89руб.136,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней99,60руб.91,30руб.89,64руб.87,15руб.81,34руб.79,68руб.77,19руб.69,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней191,73руб.176,79руб.172,64руб.168,49руб.163,51руб.157,70руб.149,40руб.134,46руб.

Характеристики

IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]The IRF5210LPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fast switching
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

to262
Структура

p-канал