66

IPG20N04S4L08ATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Смоленск

94,00 руб.

x 94,00 = 94,00
Артикул: 1131752 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней94,00руб.87,42руб.84,60руб.82,72руб.77,08руб.75,20руб.73,32руб.67,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней170,14руб.156,04руб.153,22руб.149,46руб.139,12руб.136,30руб.132,54руб.119,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней219,96руб.203,04руб.198,34руб.193,64руб.180,48руб.175,78руб.172,02руб.154,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней112,80руб.103,40руб.101,52руб.98,70руб.92,12руб.90,24руб.87,42руб.78,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней217,14руб.200,22руб.195,52руб.190,82руб.185,18руб.178,60руб.169,20руб.152,28руб.

Характеристики

IPG20N04S4L08ATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The IPG20N04S4L-08 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for small loads control switching and body applications.

• Logic level
• Green device
• 100% Avalanche tested
• Larger source lead-frame connection for wire bonding
• Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
• Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TDSON
Рассеиваемая Мощность

54Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

40В
Непрерывный Ток Стока

20А