HGTP12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

420,00 руб.

Артикул: 1136125 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	420,00руб.	390,60руб.	378,00руб.	369,60руб.	357,00руб.	336,00руб.	327,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	789,60руб.	726,60руб.	714,00руб.	697,20руб.	672,00руб.	634,20руб.	617,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	802,20руб.	739,20руб.	722,40руб.	705,60руб.	672,00руб.	638,40руб.	625,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	504,00руб.	462,00руб.	453,60руб.	441,00руб.	428,40руб.	403,20руб.	390,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	730,80руб.	672,00руб.	655,20руб.	642,60руб.	621,60руб.	583,80руб.	567,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	457,80руб.	424,20руб.	411,60руб.	403,20руб.	390,60руб.	365,40руб.	357,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

HGTP12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В The HGTP12N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 70ns at TJ = 125 C Fall time

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600в
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	167Вт
DC Ток Коллектора	54А