1925

FDS6990A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А

Поставка электронных компонентов в Смоленск

96,00 руб.

x 96,00 = 96,00
Артикул: 1131735 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней96,00руб.89,28руб.86,40руб.84,48руб.78,72руб.76,80руб.74,88руб.69,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней173,76руб.159,36руб.156,48руб.152,64руб.142,08руб.139,20руб.135,36руб.121,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней224,64руб.207,36руб.202,56руб.197,76руб.184,32руб.179,52руб.175,68руб.157,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней115,20руб.105,60руб.103,68руб.100,80руб.94,08руб.92,16руб.89,28руб.80,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней221,76руб.204,48руб.199,68руб.194,88руб.189,12руб.182,40руб.172,80руб.155,52руб.

Характеристики

FDS6990A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А The FDS6990A is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench process. It is especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate to source voltage
• 7.5A Continuous drain current
• 20A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

7.5А