1925

Транзистор FDS6930B, N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC

Поставка электронных компонентов в Смоленск

74,00 руб.

x 74,00 = 74,00
Артикул: 1131730 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней74,00руб.68,82руб.66,60руб.65,12руб.60,68руб.59,20руб.57,72руб.53,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней133,94руб.122,84руб.120,62руб.117,66руб.109,52руб.107,30руб.104,34руб.93,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней173,16руб.159,84руб.156,14руб.152,44руб.142,08руб.138,38руб.135,42руб.121,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней88,80руб.81,40руб.79,92руб.77,70руб.72,52руб.71,04руб.68,82руб.62,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней170,94руб.157,62руб.153,92руб.150,22руб.145,78руб.140,60руб.133,20руб.119,88руб.

Характеристики

FDS6930B, N CHANNEL MOSFET, 30V, SOICThe FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150 C Junction and storage temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Dual N Channel
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

5.5А