1925

FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А

Поставка электронных компонентов в Смоленск

67,00 руб.

x 67,00 = 67,00
Артикул: 1131731 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней67,00руб.62,31руб.60,30руб.58,96руб.54,94руб.53,60руб.52,26руб.48,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней121,27руб.111,22руб.109,21руб.106,53руб.99,16руб.97,15руб.94,47руб.85,09руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней156,78руб.144,72руб.141,37руб.138,02руб.128,64руб.125,29руб.122,61руб.109,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней80,40руб.73,70руб.72,36руб.70,35руб.65,66руб.64,32руб.62,31руб.56,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней154,77руб.142,71руб.139,36руб.136,01руб.131,99руб.127,30руб.120,60руб.108,54руб.

Характеристики

FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150 C Junction and storage temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

5.5А