668e9af871d259e7763659a92a21a553

FDP050AN06A0, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

210,00 руб.

x 210,00 = 210,00
Артикул: 1133930 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней210,00руб.195,30руб.189,00руб.184,80руб.178,50руб.168,00руб.163,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней394,80руб.363,30руб.357,00руб.348,60руб.336,00руб.317,10руб.308,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней401,10руб.369,60руб.361,20руб.352,80руб.336,00руб.319,20руб.312,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней252,00руб.231,00руб.226,80руб.220,50руб.214,20руб.201,60руб.195,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней365,40руб.336,00руб.327,60руб.321,30руб.310,80руб.291,90руб.283,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней228,90руб.212,10руб.205,80руб.201,60руб.195,30руб.182,70руб.178,50руб.

Характеристики

FDP050AN06A0, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 60 В The FDP050AN06A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.

• Low Miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

245Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

80А