52н

AUIRFS3206, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В, 0.0024 Ом

Поставка электронных компонентов в Смоленск

390,00 руб.

x 390,00 = 390,00
Артикул: 1133411 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней390,00руб.362,70руб.351,00руб.343,20руб.331,50руб.312,00руб.304,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней733,20руб.674,70руб.663,00руб.647,40руб.624,00руб.588,90руб.573,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней744,90руб.686,40руб.670,80руб.655,20руб.624,00руб.592,80руб.581,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней468,00руб.429,00руб.421,20руб.409,50руб.397,80руб.374,40руб.362,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней678,60руб.624,00руб.608,40руб.596,70руб.577,20руб.542,10руб.526,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней425,10руб.393,90руб.382,20руб.374,40руб.362,70руб.339,30руб.331,50руб.

Характеристики

AUIRFS3206, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В, 0.0024 Ом The AUIRFS3206 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Enhanced dV/dt and di/dt capability
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

120А