Характеристики
IGBT — модуль, 100 А
Power Integrated Module 7MBR100U4B120 MS6M 0856
Feb. 02 ’05 Feb. 02 ’05
Спецификации:
- Module Configuration: Seven
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.35 В
- Power Dissipation Max: 390 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 24
RoHS: есть