Личный кабинет
Компания SemiQ Inc. анонсировала семейство из трех 1200-вольтовых модулей SiC полного моста, каждый из которых включает в себя два надежных высокоскоростных транзистора SiC MOSFET с надежным внутренним диодом.
Модули были разработаны для упрощения разработки фотоэлектрических инверторов, накопителей энергии, зарядных устройств для аккумуляторов и других высокочастотных устройств постоянного тока.
Модули, доступные в вариантах 18, 38 и 77 мОм (RDSon), были испытаны при напряжениях, превышающих 1350 В, и обеспечивают непрерывный ток стока до 102 А, импульсный ток стока до 250 А и рассеиваемую мощность до 333 Вт.
Работающие при температуре перехода до 175 °C, надежные модули B2 имеют чрезвычайно низкие потери переключения (EON 0,13 мДж, EOFF 0,04 мДж при 25 °C – модуль 77 мОм), низкую утечку сток/затвор-исток при нулевом напряжении затвора (0,1 мкА/1 нА – все модули) и низкое тепловое сопротивление перехода к корпусу (0,4 °C на ватт – модуль 18 мОм).
«Благодаря интеграции высокоскоростных SiC MOSFET с исключительной производительностью и надежностью наше новое семейство модулей QSiC 1200 В с полным мостом устанавливает новый стандарт плотности мощности и эффективности в требовательных приложениях постоянного тока. Это семейство модулей упрощает проектирование системы и обеспечивает более быстрое время вывода на рынок решений для солнечной энергетики, хранения и зарядки следующего поколения», — сказал Сок Джу Джанг, директор по разработке модулей в SemiQ.
Модули можно монтировать непосредственно на радиатор, они размещены в корпусе размером 62,8 мм x 33,8 мм x 15 мм (включая монтажные пластины) с запрессованными клеммными соединениями и разделенными отрицательными клеммами постоянного тока.
Загрузка