IRF7807TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 8.3 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Смоленск

85,00 руб.

Артикул: 1134346 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	85,00руб.	79,05руб.	76,50руб.	74,80руб.	69,70руб.	68,00руб.	66,30руб.	61,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	153,85руб.	141,10руб.	138,55руб.	135,15руб.	125,80руб.	123,25руб.	119,85руб.	107,95руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	198,90руб.	183,60руб.	179,35руб.	175,10руб.	163,20руб.	158,95руб.	155,55руб.	139,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	102,00руб.	93,50руб.	91,80руб.	89,25руб.	83,30руб.	81,60руб.	79,05руб.	71,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	196,35руб.	181,05руб.	176,80руб.	172,55руб.	167,45руб.	161,50руб.	153,00руб.	137,70руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7807TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 8.3 А, 30 В N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	8.3А