2

IRF7601PBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 20 В, 35 мОм

Поставка электронных компонентов в Смоленск

53,00 руб.

x 53,00 = 53,00
Артикул: 1134338 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней53,00руб.49,29руб.47,70руб.46,64руб.43,46руб.42,40руб.41,34руб.38,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней95,93руб.87,98руб.86,39руб.84,27руб.78,44руб.76,85руб.74,73руб.67,31руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней124,02руб.114,48руб.111,83руб.109,18руб.101,76руб.99,11руб.96,99руб.86,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней63,60руб.58,30руб.57,24руб.55,65руб.51,94руб.50,88руб.49,29руб.44,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней122,43руб.112,89руб.110,24руб.107,59руб.104,41руб.100,70руб.95,40руб.85,86руб.

Характеристики

IRF7601PBF, МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 20 В, 35 мОм The IRF7601PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.

• Generation V technology
• Ultra-low ON-resistance
• Low profile (

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Рассеиваемая Мощность

1.8Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

5.7А