17310ee86b1007b78335769ae4e6271f

FDS6930A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А

Поставка электронных компонентов в Смоленск

68,00 руб.

x 68,00 = 68,00
Артикул: 1131728 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней68,00руб.63,24руб.61,20руб.59,84руб.55,76руб.54,40руб.53,04руб.48,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней123,08руб.112,88руб.110,84руб.108,12руб.100,64руб.98,60руб.95,88руб.86,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней159,12руб.146,88руб.143,48руб.140,08руб.130,56руб.127,16руб.124,44руб.111,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней81,60руб.74,80руб.73,44руб.71,40руб.66,64руб.65,28руб.63,24руб.57,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней157,08руб.144,84руб.141,44руб.138,04руб.133,96руб.129,20руб.122,40руб.110,16руб.

Характеристики

FDS6930A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А The FDS6930A is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate to source voltage
• 5.5A Continuous drain current
• 20A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

5.5А