MJD122TF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE

Поставка электронных компонентов в Смоленск

70,00 руб.

Артикул: 1130688 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	70,00руб.	65,10руб.	63,00руб.	61,60руб.	57,40руб.	56,00руб.	54,60руб.	50,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	126,70руб.	116,20руб.	114,10руб.	111,30руб.	103,60руб.	101,50руб.	98,70руб.	88,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	163,80руб.	151,20руб.	147,70руб.	144,20руб.	134,40руб.	130,90руб.	128,10руб.	114,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	84,00руб.	77,00руб.	75,60руб.	73,50руб.	68,60руб.	67,20руб.	65,10руб.	58,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	161,70руб.	149,10руб.	145,60руб.	142,10руб.	137,90руб.	133,00руб.	126,00руб.	113,40руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD122TF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 20 Вт, 8 А, 1000 hFEThe MJD122TF is a NPN Silicon Darlington Transistor offers 100V collector base voltage and 8A collector current.

• High DC current gain
• Built-in a damper diode at E-C
• Electrically similar to popular TIP122
• Complement to MJD127
• Lead-formed for surface-mount applications

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	100В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	8А
DC Усиление Тока hFE	1000hFE