BDW94C, PNP составной (Дарлингтон) транзистор, [TO-220]

Поставка электронных компонентов в Смоленск

28,00 руб.

Артикул: 1123354 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	28,00руб.	26,04руб.	25,20руб.	24,64руб.	22,96руб.	22,40руб.	21,84руб.	20,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	50,68руб.	46,48руб.	45,64руб.	44,52руб.	41,44руб.	40,60руб.	39,48руб.	35,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	65,52руб.	60,48руб.	59,08руб.	57,68руб.	53,76руб.	52,36руб.	51,24руб.	45,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	33,60руб.	30,80руб.	30,24руб.	29,40руб.	27,44руб.	26,88руб.	26,04руб.	23,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	64,68руб.	59,64руб.	58,24руб.	56,84руб.	55,16руб.	53,20руб.	50,40руб.	45,36руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BDW94C, PNP составной (Дарлингтон) транзистор, [TO-220]The BDW94C is a -100V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Complementary to the BDW93C
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	80