skiip-28anb16v1

SKIIP28ANB16V1 Силовой модуль.

Поставка электронных компонентов в Смоленск

7.808,00 руб.

x 7.808,00 = 7.808,00
Артикул: 1085742 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Смоленск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней7.808,00руб.7.261,44руб.6.871,04руб.6.636,80руб.6.402,56руб.6.285,44руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней8.823,04руб.7.964,16руб.7.808,00руб.7.495,68руб.7.261,44руб.7.105,28руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней9.525,76руб.8.588,80руб.8.354,56руб.8.120,32руб.7.651,84руб.7.183,36руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.291,52руб.8.354,56руб.8.198,40руб.7.886,08руб.7.573,76руб.7.144,32руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней13.273,60руб.11.946,24руб.11.712,00руб.11.243,52руб.10.853,12руб.9.916,16руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней13.195,52руб.11.868,16руб.11.618,30руб.11.165,44руб.10.775,04руб.9.838,08руб.

Характеристики

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-прерыватель
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 118 (88) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп  1 мс 210 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
Диод прерывателя
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 118 (88) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп  1 мс 210 A
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
Диод выпрямителя
VRRM повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 B
IF прямой ток/ток во включенном состоянии Ts = 70 83 A
IFSM прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 1000 A
i2t значение i2t tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 6600 А2с
Tj температура перехода Диод — 40 … + 150 °C
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 120 A
Tstg температура хранения Top  Tstg — 40 … + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 B
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 105 A, Tj = 25 (125) °C 1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 3 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C 1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C 6,7 (10) 8,6 (12) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 8,4 нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 1,5 нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 1,1 нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT 0,4 K/Вт
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 105 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 5 Ом индуктивная нагрузка 75 нс
tr время нарастания 35 нс
td(off) длительность задержки выключения 465 нс
tf время спада 90 нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения 13.1 мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения 13 мДж
Диод прерывателя
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 105 A; Tj = 25 (125) °C 1,6 (1,6) 1,8 (1,8) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C 1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C 5,7 (7,6) 6,7 (8,6) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода 0,55 K/Вт
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 105 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 4000 A/мкс 175 A
Qrr заряд восстановления 26 мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления 11,2 мДж
Диод выпрямителя
VF прямое напряжение IFnom = 75 A; Tj = 25 (125) °C 1,2 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 150 °C 0,8 В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 150 °C 7 мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода 0,7 K/Вт
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C 1000 (1670) Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент 2 2.5 Н · м
m масса 65 грамм
IC — ток коллектора;
VGE — напряжение затвор-эмиттер;
VCE — напряжение коллектор-эмиттер;
Tj — температура перехода;
ICnom — номинальный ток коллектора;
VCC — напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom — номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 2:

Внешний вид модулей семейства SKIIP 2

Схема модуля:

Схема модуля SKiiP28ANB16V1

Типовая схема включения:

Типовая схема включения SKiiP28ANB16V1

Типовая схема включения SKiiP28ANB16V1

Дополнительная информация

Бренд

Semikron